Российские ученые приступают к реализации нового проекта по импортозамещению

Новые транзисторы будут применяться:
• в усилителях мощности систем бортового радионавигационного оборудования воздушных судов, обеспечивающего безопасность посадки в метеорологических условиях, не обеспечивающих безопасного визуального захода на посадку.

• в усилителях мощности радиотехнической системы ближней навигации (РСБН).
• в усилителях мощности обзорных радиолокационных станций авиационного и наземного базирования.
• в усилителях мощности авиационной системы государственного опознавания.

• в усилителях мощности радиолокационных станциях S-диапазона, в том числе - метеорологических.



Планируемый объем продаж изделий на период 2027-2030 гг. равняется 345 936 000,00 руб.

Количество вновь создаваемых и (или) модернизируемых в рамках реализации комплексного проекта высокотехнологичных рабочих мест составит 6 ед.

Кроме того, в институте ведется активная работа по созданию LDMOS- транзисторов для усилителей телевизионных сигналов, передовые характеристики создаваемых новинок позволят улучшить с их помощью параметры другой радиоаппаратуры. В конце 2023 года опытные образцы изделий успешно прошли тестовые испытания.
Изделия отличает значительно усовершенствована конструкция транзисторных кристаллов и доработанная технология их изготовления.
Новые транзисторы, разработанные в АО «НИИЭТ», характеризуются высокой по современным меркам удельной выходной мощностью и малыми значениями удельных емкостей. Работа по их созданию выполнялась при финансировании в рамках программы субсидирования в соответствии с постановлением Правительства РФ от 24 июля 2021 года № 1252.